因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。

檢測項目

微觀形貌觀察：通過掃描電鏡獲取材料表面二維或三維形貌圖像，分辨率可達(dá)0.5nm~10nm，放大倍數(shù)50~1000000倍。

晶體結(jié)構(gòu)分析：利用透射電鏡結(jié)合選區(qū)電子衍射技術(shù)，測定晶體晶格常數(shù)、空間群及位向關(guān)系，衍射斑分辨率≤0.1nm。

成分元素定性定量：借助能譜儀（EDS）或電子探針（EPMA）分析微區(qū)元素組成，檢測限低至0.1wt%~1wt%，定量誤差≤±2%。

界面結(jié)合狀態(tài)表征：通過掃描透射電鏡（STEM）觀察異質(zhì)界面微觀結(jié)構(gòu)，測量界面寬度（0.1nm~1μm）及元素擴散深度（1nm~100nm）。

缺陷尺寸測量：對材料內(nèi)部空位團、位錯、微裂紋等缺陷進(jìn)行定位與尺寸統(tǒng)計，長度測量精度±0.1μm，數(shù)量統(tǒng)計誤差≤±1%。

相組成分析：采用電子衍射與能譜聯(lián)用技術(shù)，識別材料中各物相種類及相對含量，相區(qū)分分辨率≤0.2nm。

納米級粗糙度測定：通過原子力顯微鏡（AFM）模式測量表面納米級起伏，垂直分辨率≤0.01nm，水平分辨率≤5nm。

薄膜厚度檢測：利用高分辨率透射電鏡（HRTEM）或掃描電子顯微鏡（SEM）截面觀測，測量厚度范圍10nm~10μm，誤差≤±5%。

第二相粒子分布統(tǒng)計：對材料中第二相粒子的尺寸（0.1μm~10μm）、形狀（球形/片狀/棒狀）及空間分布密度（個/mm2）進(jìn)行統(tǒng)計分析。

斷口形貌分析：觀察材料斷裂表面的韌窩、解理面、沿晶等特征，測量韌窩間距（0.1μm~10μm）及解理臺階高度（0.01μm~1μm）。

檢測范圍

金屬材料：鋼鐵、鋁合金、鈦合金等，用于分析晶粒尺寸、析出相及疲勞裂紋起源。

高分子材料：聚乙烯、聚碳酸酯、環(huán)氧樹脂等，用于觀測分子鏈排列、相分離結(jié)構(gòu)及老化損傷。

復(fù)合材料：碳纖維增強樹脂基、玻璃纖維/陶瓷基復(fù)合材料，用于分析纖維-基體界面結(jié)合狀態(tài)及分層缺陷。

電子材料：半導(dǎo)體硅片、薄膜晶體管（TFT）陣列、LED外延片，用于檢測位錯密度、薄膜均勻性及界面態(tài)。

生物材料：羥基磷灰石骨支架、聚乳酸植入體、膠原蛋白膜，用于觀察細(xì)胞黏附狀態(tài)及材料降解特征。

能源材料：鋰離子電池正極材料（三元材料、磷酸鐵鋰）、光伏硅片，用于分析顆粒形貌、晶界缺陷及SEI膜結(jié)構(gòu)。

航空航天部件：鈦合金發(fā)動機葉片、碳纖維復(fù)合材料機翼結(jié)構(gòu)件，用于檢測鑄造缺陷、纖維排布方向及裂紋擴展路徑。

精密機械零件：硬質(zhì)合金刀具、滾動軸承鋼球，用于觀測表面磨損形貌、微裂紋及殘余奧氏體分布。

文物保護(hù)樣品：青銅器銹蝕層、陶瓷釉面、書畫顏料層，用于分析腐蝕產(chǎn)物成分及顏料礦相結(jié)構(gòu)。

地質(zhì)礦物：鐵礦石、花崗巖、方解石，用于研究礦物晶體形貌、包裹體成分及蝕變特征。

檢測標(biāo)準(zhǔn)

ASTM E3-2020：掃描電子顯微鏡定量分析的標(biāo)準(zhǔn)指南，規(guī)定圖像分析的分辨率、放大倍數(shù)及測量方法。

ISO 14595:2010：電子顯微鏡中能譜儀的分析方法，明確元素識別與定量分析的技術(shù)要求。

GB/T 19501-2013：金屬材料電子背散射衍射（EBSD）分析方法，規(guī)定晶體取向與相鑒定的測試流程。

JIS H0891:2013：鋁及鋁合金電子顯微鏡分析方法，涉及薄膜試樣制備與衍射斑指數(shù)標(biāo)定。

ASTM D3652-2019：聚合物材料掃描電子顯微鏡分析的標(biāo)準(zhǔn)方法，規(guī)范表面形貌觀測與缺陷測量的參數(shù)設(shè)置。

ISO 21073:2019：納米技術(shù)-透射電子顯微鏡-試樣制備與成像方法，指導(dǎo)納米材料的高分辨成像操作。

GB/T 30707-2014：電子探針顯微分析（EPMA）方法通則，規(guī)定元素定量分析與誤差控制的技術(shù)指標(biāo)。

ASTM E112-2013：金屬材料晶粒度測定的標(biāo)準(zhǔn)試驗方法，適用于金相組織與電子圖像的晶粒尺寸統(tǒng)計。

ISO 13383-1:2012：硬質(zhì)合金-微觀結(jié)構(gòu)和相組成的測定，明確掃描電鏡與能譜儀的聯(lián)合應(yīng)用要求。

GB/T 25187-2010：半導(dǎo)體器件鍵合用金絲的微觀結(jié)構(gòu)分析方法，規(guī)定金絲表面形貌與雜質(zhì)顆粒的檢測標(biāo)準(zhǔn)。

檢測儀器

場發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）：采用場發(fā)射電子源，分辨率≤1nm（1kV），具備二次電子與背散射電子雙探測器，用于高分辨率表面形貌觀察及成分襯度分析。

透射電子顯微鏡（TEM）：配備球差校正器，點分辨率≤0.08nm，線分辨率≤0.05nm，支持選區(qū)電子衍射與高角環(huán)形暗場成像（HAADF），用于納米級晶體結(jié)構(gòu)與成分分布表征。

X射線能譜儀（EDS）：探測器有效面積≥10mm2，能量分辨率≤129eV（Mn Kα），可快速進(jìn)行微區(qū)元素定性、定量及線掃描/面掃描分析。

電子背散射衍射系統(tǒng)（EBSD）：集成于掃描電鏡，相機分辨率≥1024×1024像素，可采集晶體取向、相分布及織構(gòu)數(shù)據(jù)，用于材料微觀組織與性能關(guān)聯(lián)研究。

聚焦離子束-掃描電鏡雙束系統(tǒng)（FIB-SEM）：離子束加速電壓5kV~30kV，束流1pA~100nA，支持微區(qū)截面切割與三維重構(gòu)，用于復(fù)雜結(jié)構(gòu)樣品的制備與原位分析。

檢測流程

1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)

2、確認(rèn)檢測用途及項目要求

3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)

5、收到樣品，安排費用后進(jìn)行樣品檢測

6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認(rèn)信息是否無誤

7、確認(rèn)完畢后出具報告正式件

8、寄送報告原件