因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個(gè)人測(cè)試暫不接受委托，望見(jiàn)諒。

檢測(cè)項(xiàng)目

1. 基礎(chǔ)電氣特性：包含工作電壓范圍驗(yàn)證、靜態(tài)功耗測(cè)量及喚醒響應(yīng)時(shí)間測(cè)試

2. 監(jiān)測(cè)精度驗(yàn)證：涵蓋單體電壓采樣誤差（±1mV級(jí)）、總壓測(cè)量偏差（≤0.05%FS）、電流檢測(cè)線性度（±0.5%典型值）

3. 保護(hù)功能測(cè)試：過(guò)壓保護(hù)（OVP）響應(yīng)時(shí)間≤10ms、欠壓恢復(fù)（UVR）遲滯特性、過(guò)溫保護(hù)（OTP）觸發(fā)精度±1.5℃

4. 均衡性能評(píng)估：主動(dòng)均衡效率（≥85%@2A）、被動(dòng)均衡電流一致性（組內(nèi)差異＜5%）、熱管理效能

5. 通信協(xié)議驗(yàn)證：支持SMBus 1.1/I2C/CAN FD等協(xié)議的時(shí)序特性與數(shù)據(jù)完整性校驗(yàn)

檢測(cè)范圍

1. 應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋：消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品（TWS耳機(jī)/智能手表）、動(dòng)力電池系統(tǒng)（EV/ESS）、工業(yè)儲(chǔ)能設(shè)備

2. 芯片類(lèi)型包含：?jiǎn)喂?jié)保護(hù)IC（DW01系列）、多串BMS芯片（BQ40Z50系列）、AFE前端采集芯片（LTC6813系列）

3. 工藝制程兼容：0.18μm BCD工藝至12nm FinFET工藝的各類(lèi)芯片架構(gòu)

4. 封裝形式適配：QFN-24/WLCSP-20/TO-252等主流封裝規(guī)格

5. 特殊環(huán)境擴(kuò)展：AEC-Q100 Grade1認(rèn)證芯片的擴(kuò)展溫度（-40℃~125℃）驗(yàn)證

檢測(cè)方法

1. 靜態(tài)參數(shù)測(cè)試法：采用四線制Kelvin連接消除接觸電阻影響，通過(guò)高精度源表進(jìn)行DC特性掃描

2. 動(dòng)態(tài)循環(huán)測(cè)試法：構(gòu)建多通道電池模擬矩陣（支持32串級(jí)聯(lián)），模擬真實(shí)工況下的充放電循環(huán)

3. 故障注入測(cè)試法：使用任意波形發(fā)生器制造電壓驟降/浪涌沖擊（ISO 7637-2標(biāo)準(zhǔn)波形）

4. 環(huán)境應(yīng)力篩選法：依據(jù)JESD22-A104執(zhí)行溫度循環(huán)試驗(yàn)（-55℃~150℃,1000次循環(huán)）

5. 長(zhǎng)期老化評(píng)估法：搭建多維度加速老化平臺(tái)（高溫高濕/偏壓應(yīng)力/溫度沖擊復(fù)合試驗(yàn)）

檢測(cè)儀器

1. 高精度數(shù)字源表：Keysight B2902BL精密型SMU（分辨率100nV/10fA）

2. 電池模擬系統(tǒng)：Chroma 17011可編程電池模擬器（±0.02%電壓精度）

3. 協(xié)議分析儀：Total Phase Beagle USB5000協(xié)議分析套件

4. 熱特性測(cè)試平臺(tái)：Fluke TiX580紅外熱像儀（640×480分辨率）

5. 環(huán)境試驗(yàn)設(shè)備：ESPEC TABAI PL-3KPH溫度沖擊試驗(yàn)箱

6. 信號(hào)采集系統(tǒng)：NI PXIe-5162高速數(shù)字化儀（14位分辨率,500MS/s）

7. 失效分析設(shè)備：FEI Helios G4 UX聚焦離子束顯微鏡

檢測(cè)流程

1、咨詢(xún)：提品資料(說(shuō)明書(shū)、規(guī)格書(shū)等)

2、確認(rèn)檢測(cè)用途及項(xiàng)目要求

3、填寫(xiě)檢測(cè)申請(qǐng)表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)

4、按要求寄送樣品(部分可上門(mén)取樣/檢測(cè))

5、收到樣品，安排費(fèi)用后進(jìn)行樣品檢測(cè)

6、檢測(cè)出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫(xiě)報(bào)告草件，確認(rèn)信息是否無(wú)誤

7、確認(rèn)完畢后出具報(bào)告正式件

8、寄送報(bào)告原件